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让内存拥有记忆力！——下一代存储器技术解析
来源：上海电脑维修|上海IT外包|上海浦东电脑维修|上海浦东IT外包 作者：上海电脑维修|上海IT外包|上海浦东电脑维修|上海浦东IT外包 日期：2010/2/4
目前的RAM主要分为三类：静态RAM、动态RAM和闪存，各自都有优缺点，例如闪存是唯一能够在不通电的情况下进行数据保存的存储器，但是速度却很慢。一直以来电路设计师们正在寻求一个能够集成多种存储器类型到同一个芯片上的技术，虽然会增加复杂性和成本，但是却有可能获得最佳的性能。，从2000年的130nm到现在的45nm，今年内内存制程将能达到32nm，而在明年更有望达到22nm。目前，新的技术和制程已经可以制造更小、更快、节能和非易失性的存储器了，特别是RRAM技术的出现让大家看到了存储器新的希望……
RRAM，会记忆的内存？
RRAM也称ReRAM，全称Resistive RAM，中文译为电阻记忆体、记忆电阻（简称忆阻）。RRAM是一种具有记忆功能的非线性电阻，使用强相关电子类的材料（如NiO、PCMO等），这类型的材料可通过电流的变化控制阻值的变化，即是对材料施压电压脉冲后，材料的电阻阻值会发生剧烈改变，使材料成为高阻值；反之，若从另一个方向施加电压脉冲则会使材料转变成低阻值，运用阻值高、低的两种状态来储存位资料。如果将忆阻的高阻值和低阻值分别定义为1和0，就可以通过二进制的方式来存储数据。
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